【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
1、在制作半导体器件时，往往需要在基底表面形成凹坑，然后将电路等结构制作在凹坑中，以实现形成电路结构后的顶部表面与凹坑以外的区域齐平。
2、然而，在现有技术中，在形成凹坑之后，还需要形成所述凹坑与金属互连结构之间的通孔以形成电导通结构，由于先形成凹坑后形成通孔，会导致所述通孔的刻蚀工艺中光刻胶涂胶不均匀，产生风旋效应，对连续化生产造成影响。
3、此外，在通孔刻蚀前还需要形成额外的保护层对凹坑底部表面进行保护，并以该保护层为掩膜进行通孔刻蚀。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体器件及其形成方法，可以有效减少工艺限制，降低生产成本，提高生产效率。
2、为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种半导体器件的形成方法，其包括：形成基底；采用第一刻蚀深度，对所述基底进行通孔刻蚀，以得到盲孔；采用第二刻蚀深度，对所述基底进行凹坑刻蚀，同时对所述盲孔进行补刻蚀，以得到凹...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔离材料叠层包括以下一项或多项的堆叠层：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用第二刻蚀深度，对所述基底进行凹坑刻蚀，同时对所述盲孔进行补刻蚀，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀工艺包括以下一项或多项：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一刻蚀深度选自：0.7um-0.9um。
7.根据权利要求1所述的...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔离材料叠层包括以下一项或多项的堆叠层：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用第二刻蚀深度，对所述基底进行凹坑刻蚀，同时对所述盲孔进行补刻蚀，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀工艺包括以下一项或多项：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一刻蚀深度选自：0.7um-0.9um。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二刻蚀深度选自：0.8um-0.9um。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底上具有逻辑电路区域和像素区域，所述凹坑形成于所述逻辑电路区域的所述基底背面；
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述形成基底，还包括：
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述通孔在所述半导体衬底的正面的投影位于所述正面隔离结构上，所述通孔暴露出所述正面隔离结构的背面。
11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在形成所述基底之后，以及在所述采用第一刻蚀深度，对所述基底进行通孔刻蚀之前，所述方法还包括：在所述像素区域的所述基底内，自所述基底的背面，形成网格状的背面隔离沟槽，所述背面隔离沟槽用于隔离相邻的所述光电二极管；
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述隔离材料叠层包含依次形成的线性氧化层、氧化铝层、氧化钽层的堆叠层；
13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述隔离材料叠层还包括氧化硅层与氮化硅层的堆叠层；
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述衬垫结构为多层结构；
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述格...
【专利技术属性】
技术研发人员：范晓，常富强，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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