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本发明提供一种MZ型电光调制器及其制备方法。所述MZ型电光调制器自下而上包括衬底层、硅波导层、第一隔离层、氮化硅波导层、第二隔离层、铌酸锂薄膜层、第三隔离层和金属层；所述衬底层的表面为绝缘材料层；所述硅波导层包括位于相对两侧的分束器和合束器...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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