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超级结器件的边缘终端区域制造技术
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下载超级结器件的边缘终端区域的技术资料
文档序号:44528496
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一种半导体功率器件,所述半导体功率器件具有有源区域和围绕有源区域的边缘终端区域。所述器件包括彼此交替接触的多个第一导电类型的漂移区域和多个第二导电类型的分隔区域,以形成在相邻的漂移区域和分隔区域之间在垂直方向上延伸的多个相互平行的p‑n结。...
该专利属于安世有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过安世有限公司授权不得商用。
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