【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种功率半导体器件，具体地但不排他地，本公开涉及一种超级结金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)的边缘终端区域。
技术介绍
1、功率半导体器件如金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)或绝缘栅双极晶体管(igbt)需要高击穿电压。可以在超级结mosfets的有源区域中实现高击穿电压(bv)值。然而，由于在边缘终端区域处的电荷平衡中断或不连续，现有技术的超级结器件的击穿电压被降低。
2、us10,205,009b2和us 9,595,596 b2都涉及超级结半导体器件。
技术实现思路
1、在所附权利要求中阐述了各方面和优选的特征。
2、根据本公开的第一方面，提供了一种半导体功率器件，所述半导体功率器件具有有源区域和围绕有源区域的边缘终端区域，其中边缘终端区域横向地位于有源区域和半导体器件的侧表面之间，所述器件包括：
3、半导体衬底，其包括第一导电类型的半导体衬底区域；
4、多个第一导电类型的漂移区域和多个第二导电类型的分隔区...
【技术保护点】
1.一种半导体功率器件，所述半导体功率器件具有有源区域和围绕所述有源区域的边缘终端区域，其中所述边缘终端区域横向地位于所述有源区域和所述半导体器件的侧表面之间，所述器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其中在所述有源区中，所述多个漂移区域中的一个或多个漂移区域延伸，使得所述有源区域内的所述分隔区域形成物理上分离的分隔区域。
3.根据权利要求1或2所述的半导体功率器件，进一步包括多个第二导电类型的浮置柱区域，每个浮置柱区域位于第二导电类型的分隔区域下面。
4.根据任一前述权利要求所述的半导体功率器件，进一步包括形成在所述...
【技术特征摘要】
1.一种半导体功率器件，所述半导体功率器件具有有源区域和围绕所述有源区域的边缘终端区域，其中所述边缘终端区域横向地位于所述有源区域和所述半导体器件的侧表面之间，所述器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其中在所述有源区中，所述多个漂移区域中的一个或多个漂移区域延伸，使得所述有源区域内的所述分隔区域形成物理上分离的分隔区域。
3.根据权利要求1或2所述的半导体功率器件，进一步包括多个第二导电类型的浮置柱区域，每个浮置柱区域位于第二导电类型的分隔区域下面。
4.根据任一前述权利要求所述的半导体功率器件，进一步包括形成在所述电浮置区域之上的绝缘层。
5.根据任一前述权利要求所述的半导体功率器件，其中所述器件进一步包括横向地位于所述有源区域和所述边缘终端区域之间的过渡区域。
6.根据权利要求5所述的半导体功率器件，其中所述第二导电类型的层在所述过渡区域内的所述多个漂移区域中的漂移区域之上横向延伸。
7.根据任一前述权利要求所述的半导体功率器件，其中所述多个第二导电类型的柱中的每个柱包括布置在彼此之上的多个第二导电类型的注入区域；并且
8.根据任一前述权利要求所述的半导体功率器件，其中所述一个或多个第一导电类型的电浮置区域形成多个横向分离的同心环结构。
9.根据任一前述权利要求所述的半导体功率器件，其中每个一个或多个第一导电类型的电浮置区域都具有基本上相同的宽度。
10.根据任一前述权利要求所述的半导体功率器件，其中所述一个或多个第一导电类型的电浮置区域形成横向变...
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