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本发明提出了一种场效应晶体管及其制造方法，采用侧向刻蚀工艺直接在硅衬底上形成悬梁，通过在悬梁下方的空间填充介质层以形成绝缘体上硅结构，并将至少一部分漏极、和/或沟道在悬梁上形成。该制造方法不需要引入额外的衬底，避免了使用氧离子注入分割、硅键...
该专利属于格科微电子（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格科微电子（上海）有限公司授权不得商用。

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