一种场效应晶体管及其制造方法技术

技术编号:44523612 阅读:18 留言:0更新日期:2025-03-07 13:15
本发明专利技术提出了一种场效应晶体管及其制造方法,采用侧向刻蚀工艺直接在硅衬底上形成悬梁,通过在悬梁下方的空间填充介质层以形成绝缘体上硅结构,并将至少一部分漏极、和/或沟道在悬梁上形成。该制造方法不需要引入额外的衬底,避免了使用氧离子注入分割、硅键合等昂贵的绝缘体上硅(SOI)形成技术,而且通过该制造方法制造形成的场效应晶体管可集成度高,功耗低,散热性能好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件领域,尤其涉及一种场效应晶体管及其制造方法


技术介绍

1、随着摩尔定律的发展,晶体管的尺寸不断的在微缩,目的是追求制造更高性能以及更高密度的晶体管。随着晶体管的尺寸不断微缩,晶体管面临的问题越来越严重。晶体管沟道长度尺寸的不断微缩,短沟道效应(short-channel effect)导致其漏电的水平越来越高,从而不得不提高沟道的掺杂浓度尤其是口袋离子注入(halo implantation )的浓度。但是这样会导致两个不利的因素,一是halo implantation 浓度的提高,会导致漏极与沟道形成的pn结电场增加,这样的高电场容易导致栅极引起的漏电(gate induced drainleakage)。二是掺杂浓度的提高会导致晶体管阈值电压的均一性变差,这是离子注入掺杂剂的随机涨落所致。为此业界提出使用全耗尽和部分耗尽的绝缘层上有源硅技术(pd-soi,full depletion-silicon on insulator 或者fd-soi, partial depletion-silicon oninsulator)。这样本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种场效应晶体管的制造方法,所述方法包括步骤:

2.根据权利要求1所述的一种场效应晶体管的形成方法,其特征在于,所述场效应晶体管包括栅极、源极、和漏极,所述栅极、源极、和漏极均在所述悬梁上形成。

3.根据权利要求1所述的一种场效应晶体管的形成方法,其特征在于,所述场效应晶体管的仅漏极、和/或沟道的一部分在所述悬梁上形成。

4.根据权利要求1至3任一项所述的一种场效应晶体管的形成方法,其特征在于,所述悬梁相对所述衬底完全悬浮,所述悬梁由所述第一介质层提供支撑。

5.根据权利要求1至3任一项所述的一种场效应晶体管的形成方法,其特征在于,所述...

【技术特征摘要】

1.一种场效应晶体管的制造方法,所述方法包括步骤:

2.根据权利要求1所述的一种场效应晶体管的形成方法,其特征在于,所述场效应晶体管包括栅极、源极、和漏极,所述栅极、源极、和漏极均在所述悬梁上形成。

3.根据权利要求1所述的一种场效应晶体管的形成方法,其特征在于,所述场效应晶体管的仅漏极、和/或沟道的一部分在所述悬梁上形成。

4.根据权利要求1至3任一项所述的一种场效应晶体管的形成方法,其特征在于,所述悬梁相对所述衬底完全悬浮,所述悬梁由所述第一介质层提供支撑。

5.根据权利要求1至3任一项所述的一种场效应晶体管的形成方法,其特征在于,所述悬梁相对所述衬底部分悬浮,所述悬梁由连通部分、和/或所述第一介质层提供支撑,所述连通部分还可用于散热以及载流子输运。

6.根据权利要求5所述的一种场效应晶体管的形成方法,其特征在于,所述场效应晶体管包括源极,所述连通部分位于对应所述源极投影所在区域。

7.根据权利要求5所述的一种场效应晶体管的形成方法,其特征在于,所述连通部分位于悬梁的两端头部分,所述两端头的方向位于所述场效应晶体管的沟道的长度方向。

8.根据权利要求1所述的一种场效应晶体管的形成方法,其特征在于,所述晶体管包括栅极,所述栅极形成在所述悬梁上,所述栅极形成为仅位于所述悬梁的顶部;或所述栅极形成为不仅位于悬梁顶部还位于悬梁的两侧面;或所述栅极形成为不仅位于悬梁顶部还位于悬梁的两侧面和底部外侧面。

9.根据权利要求1所述的一种场效应晶体管的形成方法,其特征在于,所述步骤s2具体还包括步骤:

10.根据权利要求9所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员:彭文冰赵立新
申请(专利权)人:格科微电子上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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