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本发明公开了一种反应腔清洁方法及等离子体刻蚀设备，在所述反应腔内处理基片后，清洁所述反应腔内的残留物，包括：向所述反应腔内通入第一混合气体，将所述第一混合气体解离为等离子体，所述第一混合气体包括Cl<subgt;2</subgt...
该专利属于中微半导体设备（上海）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备（上海）股份有限公司授权不得商用。

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