一种反应腔清洁方法及等离子体刻蚀设备技术

本发明专利技术公开了一种反应腔清洁方法及等离子体刻蚀设备，在所述反应腔内处理基片后，清洁所述反应腔内的残留物，包括：向所述反应腔内通入第一混合气体，将所述第一混合气体解离为等离子体，所述第一混合气体包括Cl<subgt;2</subgt;和O<subgt;2</subgt;，Cl<subgt;2</subgt;和O<subgt;2</subgt;的体积比大于1；向所述反应腔内通入第二混合气体，将所述第二混合气体解离为等离子体，所述第二混合气体包括Cl<subgt;2</subgt;和O<subgt;2</subgt;，Cl<subgt;2</subgt;和O<subgt;2</subgt;的体积比小于1。与仅通入单一气体相比，本发明专利技术提供的混合气体对残留物的清除效率高，能够保证反应腔环境的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，具体涉及一种反应腔清洁方法及等离子体刻蚀设备。

技术介绍

1、半导体基片在反应腔内被加工完成后，通常会将基片从反应腔内移除，对反应腔进行清洁(wafer-less clean)，以去除反应过程中残留在反应腔内壁或其他部件上的残留物。这种清洁步骤通常要向反应腔中通入清洁气体，点燃等离子体，然后利用等离子体清除残留物。在清洁步骤完成后，继续进行下一步的基片处理。

2、对于反应腔内的非挥发性残留物，现有的清洁工艺仍然无法达到足够的清除效果，影响后续的基片处理步骤。因此，为了彻底清除反应腔内的残留物，需要开发一种新的反应腔清洁方法。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种能够彻底清除反应腔内残留物的清洁方法。

2、为了达到上述目的，本专利技术提供了一种反应腔清洁方法，在所述反应腔内处理基片后，清洁所述反应腔内的残留物，包括：

3、向所述反应腔内通入第一混合气体，将所述第一混合气体解离为等离子体，所述第一混合气体包括cl2和o2，cl2和o2的体积比大本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种反应腔清洁方法，其特征在于，在所述反应腔内处理基片后，清洁所述反应腔内的残留物，包括：

2.如权利要求1所述的反应腔清洁方法，其特征在于，所述第一混合气体中，Cl2与O2体积比的范围为2:1-10:1。

3.如权利要求1所述的反应腔清洁方法，其特征在于，所述第二混合气体中，Cl2与O2体积比的范围为1:10-1:2。

4.如权利要求1所述的反应腔清洁方法，其特征在于，所述第一混合气体还包括Ar，Cl2与Ar体积比的范围为1:4-4:1。

5.如权利要求1所述的反应腔清洁方法，其特征在于，所述第二混合气体还包括Ar，Ar与O2的体积比...

【技术特征摘要】

1.一种反应腔清洁方法，其特征在于，在所述反应腔内处理基片后，清洁所述反应腔内的残留物，包括：

2.如权利要求1所述的反应腔清洁方法，其特征在于，所述第一混合气体中，cl2与o2体积比的范围为2:1-10:1。

3.如权利要求1所述的反应腔清洁方法，其特征在于，所述第二混合气体中，cl2与o2体积比的范围为1:10-1:2。

4.如权利要求1所述的反应腔清洁方法，其特征在于，所述第一混合气体还包括ar，cl2与ar体积比的范围为1:4-4:1。

5.如权利要求1所述的反应腔清洁方法，其特征在于，所述第二混合气体还包括ar，ar与o2的体积比小于1。

6.如权利要求1所述的反应腔清洁方法，其特征在于，所述第一混合气体解离为等离子体后至少用于清理所述反应腔内的金属残留物。

7.如权利要求6所述的反应腔清洁方法，其特征在于，所述金属残留物中含有cr元素和ti元素中的至少一种。

8.如权利要求7所述的反应腔清洁方法，其特征在于，所述金属残留物包括crcl2、crcl3、cr2o3、cr或tif4中的任意一种或几种。

9.如权利要求1所述的反应腔清洁方法，其特征在于，所述第二混合气体解离为等离子体后至少用于清理所述反应腔内的碳氟残留物和碳氢氟残留物中的至少一种。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄秋平，刘身健，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：