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一种在基板上形成结构的方法包括在至少一个特征内形成钨成核层。方法包括通过循环气相沉积制程形成成核层。循环气相沉积制程包括形成成核层的一部分，然后将成核层暴露至化学气相传输（CVT）制程，以从成核层的一部分中去除杂质。CVT制程可以在400摄...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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