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本发明涉及半导体技术领域，更具体地说，涉及一种屏蔽栅沟槽型功率器件及制备方法。本方法包括：准备待处理的半导体晶圆；对半导体晶圆的外延层上表面以及沟槽结构进行栅极多晶硅沉积，使得沟槽结构上方形成凹槽；刻蚀所述凹槽内的栅极多晶硅，直至抵达在源极...
该专利属于杭州富芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州富芯半导体有限公司授权不得商用。

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