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本发明涉及一种二维层状纳米片、薄膜的制备方法及其光电器件，所述制备方法在生长材料的过程中采用真空环境，不需要惰性气体作为载气，通过调整In<subgt;2</subgt;Se<subgt;3</subgt;、In&l...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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