一种二维层状纳米片、薄膜及其生长方法和光电器件的制备技术

本发明专利技术涉及一种二维层状纳米片、薄膜的制备方法及其光电器件，所述制备方法在生长材料的过程中采用真空环境，不需要惰性气体作为载气，通过调整In<subgt;2</subgt;Se<subgt;3</subgt;、In<subgt;2</subgt;S<subgt;3</subgt;粉末的用量及其与氟金云母片之间的距离、反应时间和温度来生成的大尺寸原子晶体和大面积的薄膜及其合金薄膜；具有生长工艺简单、实施可行性高、绿色环保等的优点；将该方法制备的α‑In<subgt;2</subgt;Se<subgt;3</subgt;通过简单、无损的的转移方法，可转至不同衬底基片上，制备获得的光电器件具有很好的光响应灵敏度，不论在弱光还是强光下，都能保持比较稳定的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及二维半导材料，尤其涉及一种二维层状纳米片、薄膜及其生长方法和光电器件的制备。

技术介绍

1、基于iii a-iv a族的二维(2d)半导体材料在许多电子和光电子应用中已成功地用作硅的替代品，并用于制造灵活、透明、新颖的结构光电器件。层状半导体α-in2se3，吸引了越来越多的兴趣。一方面与过渡金属硫化物的间接带隙属性不同，多层α-in2se3具有直接带隙、高的吸光系数和电子迁移率，已应用于高性能从紫外到近红外的光电探测器，具有广泛的应用前景。另一方面，与同样是直接带隙的2d材料的黑磷不同，二维α-in2se3在空气中非常稳定，这对于实际应用是非常重要的。

2、目前，α-in2se3的制备方法主要包括机械剥离、化学气相沉积(cvd)和物理气相沉积(pvd)。剥离方法获得的一些层状α-in2se3纳米片均匀性、尺寸和厚度方面缺乏可控性。cvd和pvd多为前驱体粉末在反应炉上游，衬底置于反应炉的下游，除反应温度较高和多以惰性气体为保护气或载气外，生长得到二维材料尺寸普遍较小，不利于光电器件的制作。此外，合金材料的成分调控可大大提高光电器本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种二维层状纳米片、薄膜的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述目标温度为700～850℃。

3.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，所述云母片距离石英舟的垂直距离为5mm至20mm。

4.根据权利要求1至3任一项所述的生长方法，其特征在于，所述保温一定时间为5min～20min。

5.根据权利要求4所述的生长方法，其特征在于，所述升温速率为20～30℃/min；

6.一种二维层状纳米片、薄膜，其特征在于，采用上述权利要求1至5任一项的所述生长方法获得。

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【技术特征摘要】

1.一种二维层状纳米片、薄膜的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述目标温度为700～850℃。

3.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，所述云母片距离石英舟的垂直距离为5mm至20mm。

4.根据权利要求1至3任一项所述的生长方法，其特征在于，所述保温一定时间为5min～20min。

5.根据权利要求4所述的生长方法，其特征在于，所述升温速率为20～30℃/min；

6.一种二维...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨孟孟，叶浩宇，郑照强，高伟，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：