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本申请实施例提供一种半导体结构及其制作方法、电子设备。该半导体结构包括：第一电极、与第一电极相对设置的第二电极，设置在第一电极和第二电极之间的介电层，以及设置在介电层和第一电极之间的第一结晶促进层。介电层的材质包括锆钛酸铅，第一结晶促进层与...
该专利属于甬江实验室所有，仅供学习研究参考，未经过甬江实验室授权不得商用。

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