温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种基于沟槽栅型的垂直导电半导体器件及其制备方法，当在沟槽型栅极结构加压使体区反型形成沟道时，沟道区的电流会沿着环绕于位于体区内的沟槽型栅极结构的外侧壁向漂移区流动，通过设置掺杂浓度大于漂移区的掺杂层且掺杂层与体区接触，即沟道区的...
该专利属于芯恩（青岛）集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩（青岛）集成电路有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。