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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底包括衬底、位于衬底上的一个或多个依次堆叠的沟道叠层以及位于沟道叠层顶部上的阻挡层，每个沟道叠层包括牺牲层和位于牺牲层上的沟道层；在衬底上形成横跨沟道叠层和阻挡层的伪栅结构，伪栅结构覆盖阻挡...
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