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本申请公开了一种光刻工艺套刻误差补偿方法、装置及光刻机，可用于半导体制造领域，该方法中，获取套刻误差分布数据；套刻误差分布数据为套刻误差的绝对值的平均数与三倍标准差之和；套刻误差分布数据的多项式公式中，各项系数为补偿参数；基于套刻误差分布数...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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