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本发明公开了一种基于SiC催化合成亚胺的方法及SiC催化剂，属于催化剂技术领域。本发明通过化学腐蚀法，使SiC许多完整晶体的边、角暴露出来，也就是缺陷位点，同时增大SiC的比表面积，更有利于对反应物的吸附和活化。本发明制备得到的多孔SiC材...
该专利属于常州大学所有，仅供学习研究参考，未经过常州大学授权不得商用。

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