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本申请实施例提供一种增强型GaN功率器件，其包括：基体，包括形成电子气沟道的沟道层和势垒层；源极和漏极，沿第一方向间隔设置并经电子气沟道电气连接；第一耗尽层，设于势垒层上并位于源极和漏极之间，第一耗尽层包括第一耗尽体和第二耗尽体，第二耗尽体...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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