增强型GaN功率器件制造技术

本申请实施例提供一种增强型GaN功率器件，其包括：基体，包括形成电子气沟道的沟道层和势垒层；源极和漏极，沿第一方向间隔设置并经电子气沟道电气连接；第一耗尽层，设于势垒层上并位于源极和漏极之间，第一耗尽层包括第一耗尽体和第二耗尽体，第二耗尽体包括耗尽单体，耗尽单体包括与第一耗尽体连接的第一端以及与漏极间隔设置的第二端，且耗尽单体将电子气沟道定义出沿第二方向排布的非可耗尽区和可耗尽区，第二方向与第一方向相交；第一栅极，设于第一耗尽体上并与第一耗尽体欧姆接触。根据本申请的实施例不仅可以优化器件处于关断态漏极高压应力时的电场分布以提高击穿电压，而且可以有效抑制器件中的陷阱效应以优化器件的动态电阻退化问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，特别涉及一种增强型gan功率器件。

技术介绍

1、gan功率器件具有低导通电阻、低寄生电容和高开关速率等优势，经过多年的发展，gan功率器件已经被广泛的应用于消费类电子中。然而，目前gan功率器件的性能依然远离其材料的物理理论极限，为了进一步优化gan器件的性能，通过优化器件的结构设计，降低器件的方块电阻或提高器件的击穿电压，其中一个常采用的器件结构是超级结结构。

2、相关技术中的超级结结构的功率器件都需要常开型的二维电子气沟道，这与功率器件需要的增强型技术不相符，会影响器件和功率系统的可靠性。

3、因此，亟需一种新的功率器件。

技术实现思路

1、鉴于
技术介绍
中存在的问题，本申请实施例提供了一种增强型gan功率器件，不仅可以优化器件处于关断态漏极高压应力时的电场分布以提高击穿电压，而且可以有效抑制器件中的陷阱效应以优化器件的动态电阻退化问题。

2、本申请的实施例提供了一种增强型gan功率器件，增强型gan功率器件包括：基体，包括形成电子气沟道的沟道层和势垒本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种增强型GaN功率器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的增强型GaN功率器件，其特征在于，所述耗尽单体的耗尽电压与所述可耗尽区的耗尽电压的差值的绝对值不大于预设值。

3.根据权利要求1所述的增强型GaN功率器件，其特征在于，所述第一端的耗尽电压大于所述第二端的耗尽电压。

4.根据权利要求3所述的增强型GaN功率器件，其特征在于，所述第一端的宽度大于所述第二端的宽度。

5.根据权利要求1所述的增强型GaN功率器件，其特征在于，沿所述第一端至所述第二端的方向，所述耗尽单体的耗尽电压呈逐渐减小的变化趋势。p>

6.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种增强型gan功率器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的增强型gan功率器件，其特征在于，所述耗尽单体的耗尽电压与所述可耗尽区的耗尽电压的差值的绝对值不大于预设值。

3.根据权利要求1所述的增强型gan功率器件，其特征在于，所述第一端的耗尽电压大于所述第二端的耗尽电压。

4.根据权利要求3所述的增强型gan功率器件，其特征在于，所述第一端的宽度大于所述第二端的宽度。

5.根据权利要求1所述的增强型gan功率器件，其特征在于，沿所述第一端至所述第二端的方向，所述耗尽单体的耗尽电压呈逐渐减小的变化趋势。

6.根据权利要求5所述的增强型gan功率器件，其特征在于，沿所述第一端至所述第二端的方向，所述耗尽单体的宽度呈逐渐减小的变化趋势。

7.根据权利要求1所述的增强型gan功率器件，其特征在于，所述第一端的耗尽电压小于所述第二端的耗尽电压。

8.根据权利要求7所述的增强型gan功率器件，其特征在于，所述第一端的宽度小于所述第二端的宽度。

9.根据权利要求1所述的增强型gan功率器件，其特征在于，沿所述第一端至所述第二端的方向，所述耗尽单体的耗尽电压呈逐渐增大的变化趋势。

10.根据权利要求9所述的增强型gan功率器件，其特征在于，沿所述第一端至所述第二端的方向，所述耗尽单体的宽度呈逐渐增大的变化趋势。

11.根据权利要求1所述的增强型gan功率器件，其特征在于，所述第一端的耗尽电压与所述第二端的耗尽电压相...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏进，杨俊杰，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：