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本发明公开了一种微半球谐振陀螺超薄导电层设计与制备方法，包括：得到微半球谐振子内表面的薄膜厚度分布数据；计算微半球谐振子各区域变形能，令微半球谐振子上变形能与整体占比小于第一阈值的区域为区域A，其它为区域B；基于电阻率与薄膜厚度的关系曲线，...
该专利属于中国人民解放军国防科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国人民解放军国防科技大学授权不得商用。

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