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本发明涉及钙钛矿电池技术领域，具体而言，涉及一种空穴传输材料、空穴传输层及其制备方法和钙钛矿电池。本发明的空穴传输材料，具有通式X<subgt;3</subgt;Si‑G‑R；其中，X选自卤素，G选自或苯环；R选自结构(Ⅰ)或结...
该专利属于上海盛剑科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海盛剑科技股份有限公司授权不得商用。

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