空穴传输材料、空穴传输层及其制备方法和钙钛矿电池技术

技术编号:43986703 阅读:29 留言:0更新日期:2025-01-10 20:09
本发明专利技术涉及钙钛矿电池技术领域,具体而言,涉及一种空穴传输材料、空穴传输层及其制备方法和钙钛矿电池。本发明专利技术的空穴传输材料,具有通式X<subgt;3</subgt;Si‑G‑R;其中,X选自卤素,G选自或苯环;R选自结构(Ⅰ)或结构(Ⅱ)。本发明专利技术中的空穴传输材料具有的多个Si‑X键,跟衬底氧化物中的羟基可形成稳定的化学键结合,其具备较低温度下的饱和蒸汽压,适合分子层沉积制备反式钙钛矿太阳电池;该空穴传输材料可提高空穴传输层的界面稳定性,进而提高钙钛矿电池的稳定性,提高其光电转化效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及钙钛矿电池,具体而言,涉及一种空穴传输材料、空穴传输层及其制备方法和钙钛矿电池


技术介绍

1、反式钙钛矿太阳能电池(ipvscs)的优势包括工艺简单、可低温成膜、回滞少、稳定、易于实现柔性化,适合与传统晶硅太阳电池兼容实现叠层器件,因此,其具有很高的商业化前景,备受关注。

2、钙钛矿太阳能电池中的空穴传输材料(htm)主要有聚对苯撑乙烯类、聚噻吩类、聚硅烷类、三苯甲烷类等,近些年来,研究者们一直在设计开发低成本、高性能的空穴传输材料。常规的空穴传输材料与衬底之间的结合能力差,导致空穴传输层的界面稳定性弱,进而影响了钙钛矿太阳能电池的光电转化效率。

3、自组装材料具有成本低、与柔性基板相容、带隙可调、透光率高等多重优点,被应用于制备空穴传输层的研究当中。但现有技术中应用自组装材料制备空穴传输层具有容易局部形成多分子层、膜层界面稳定性差的缺陷。

4、因此,如何获得一种可与衬底形成稳定结合并易于形成单分子膜层结构、可提高空穴传输层的界面稳定性的空穴传输材料,对推进钙钛矿太阳电池的发展至关重要

5、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种空穴传输材料,其特征在于,所述空穴传输材料具有以下通式:

2.根据权利要求1所述的空穴传输材料,其特征在于,,包含以下特征(1)至(4)中的至少一种:

3.一种根据权利要求1~2中任一项所述的空穴传输材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

4.根据权利要求3所述的空穴传输材料的制备方法,其特征在于,包含以下特征(1)至(5)中的至少一种:

5.一种空穴传输层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

6.根据权利要求5所述的空穴传输层的制备方法,其特征在于,所述衬底经过预处理,所述预处理包括:将待处理所述衬底依次在水、玻...

【技术特征摘要】

1.一种空穴传输材料,其特征在于,所述空穴传输材料具有以下通式:

2.根据权利要求1所述的空穴传输材料,其特征在于,,包含以下特征(1)至(4)中的至少一种:

3.一种根据权利要求1~2中任一项所述的空穴传输材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

4.根据权利要求3所述的空穴传输材料的制备方法,其特征在于,包含以下特征(1)至(5)中的至少一种:

5.一种空穴传输层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

6.根据权利要求5所述的空穴传输层的制备方法,其特征在于,所述衬底经过预处理,所述预处理包括:将待处理所述衬底依次在水、玻璃清洗液、丙酮和异丙醇中进行超声处理...

【专利技术属性】
技术研发人员:张伟明杨威巴前凯
申请(专利权)人:上海盛剑科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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