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本发明属于低温共烧陶瓷技术领域,具体涉及一种高密度高强度的LTCC生瓷片及其制备方法和应用。所述制备方法包括将原料中堆积相粉末和填充相粉末充分混合后流延成型,所述堆积相粉末与填充相粉末的当量粒径比为1:(0.4‑0.8),所述堆积相粉末与填...该专利属于强一半导体(苏州)股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过强一半导体(苏州)股份有限公司授权不得商用。
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本发明属于低温共烧陶瓷技术领域,具体涉及一种高密度高强度的LTCC生瓷片及其制备方法和应用。所述制备方法包括将原料中堆积相粉末和填充相粉末充分混合后流延成型,所述堆积相粉末与填充相粉末的当量粒径比为1:(0.4‑0.8),所述堆积相粉末与填...