高密度高强度的LTCC生瓷片及其制备方法和应用技术

本发明专利技术属于低温共烧陶瓷技术领域，具体涉及一种高密度高强度的LTCC生瓷片及其制备方法和应用。所述制备方法包括将原料中堆积相粉末和填充相粉末充分混合后流延成型，所述堆积相粉末与填充相粉末的当量粒径比为1：(0.4‑0.8)，所述堆积相粉末与填充相粉末的体积比为1：(0.15‑0.45)。所述高密度高强度的LTCC生瓷片用于制备低温共烧陶瓷基板。本发明专利技术提供的技术方案通过不同粒径的无机粉末，并配合两者用量配比，使得生瓷片原料充分混合后可紧密排布，在不改变基板原料组成或晶须的基础上，实现烧结基板中的低孔隙率，进而实现提高抗弯强度的同时其他性能不受影响的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于低温共烧陶瓷，具体涉及一种高密度高强度的ltcc生瓷片及其制备方法和应用。

技术介绍

1、低温共烧陶瓷(low temperature cofired ceramic，简称为ltcc)满足了电子元件模块化和集成化的发展趋势，近年来在半导体封装领域应用愈发广泛。而不断小型化和高集成的封装趋势则对ltcc基板的抗弯强度提出了更高的需求。ltcc生瓷片是ltcc基板最基本的功能材料，通常由玻璃粉体、陶瓷粉体、粘结剂、分散剂、增塑剂、溶剂等球磨混合后流延制备。ltcc生瓷片经过叠层、等静压、烧结等工序制备ltcc基板。

2、现有的ltcc基板增强方法主要包括：改变玻璃粉体或陶瓷的组分，提高材料的杨氏模量；引入树状纤维/晶须，利用拔出效应提高基板强度；提高材料致密度及减少孔隙率。然而，前两种方法均会改变ltcc基板组成，在提高强度的同时会对介电常数及介质损坏产生影响。

3、中国专利cn116217254a公开了一种纤维增强型ltcc基板，为了避免因异质填料对基板的关键性能产生不利影响，其选用与ltcc基板同质的玻璃纤维作为增强填本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高密度高强度的LTCC生瓷片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将原料中堆积相粉末和填充相粉末充分混合后流延成型，所述堆积相粉末与填充相粉末的当量粒径比为1：(0.4-0.8)，所述堆积相粉末与填充相粉末的体积比为1：(0.15-0.45)。

2.根据权利要求1所述高密度高强度的LTCC生瓷片的制备方法，其特征在于，所述堆积相粉末与填充相粉末的当量粒径比为1：(0.5-0.6)，所述堆积相粉末与填充相粉末的体积比为1：(0.35-0.45)。

3.根据权利要求1所述堆积相粉末粒径分布跨度(D90-D10)/D50在0.7以下，所述填充相粉末粒径分布跨度(...

【技术特征摘要】

1.一种高密度高强度的ltcc生瓷片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将原料中堆积相粉末和填充相粉末充分混合后流延成型，所述堆积相粉末与填充相粉末的当量粒径比为1：(0.4-0.8)，所述堆积相粉末与填充相粉末的体积比为1：(0.15-0.45)。

2.根据权利要求1所述高密度高强度的ltcc生瓷片的制备方法，其特征在于，所述堆积相粉末与填充相粉末的当量粒径比为1：(0.5-0.6)，所述堆积相粉末与填充相粉末的体积比为1：(0.35-0.45)。

3.根据权利要求1所述堆积相粉末粒径分布跨度(d90-d10)/d50在0.7以下，所述填充相粉末粒径分布跨度(d90-d10)/d50在0.7以下。

4.根据权利要求1所述高密度高强度的ltcc生瓷片的制备方法，其特征在于，所述堆积相粉末选自氮化铝、氧化铝、堇青石和莫来石中一种或一种以上。

5.根据权利要求1所述高密度高强度的ltcc生瓷片的制备方法，其特征在于，所述填充相粉末为微晶玻璃粉。

6.根据权利要求1所述高密度高强度的ltcc生...

【专利技术属性】
技术研发人员：盛涛，于海超，
申请(专利权)人：强一半导体苏州股份有限公司，
类型：发明
国别省市：