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本发明公开了基于第一性原理对变温半导体器件中SiC电学特性分析方法，属于半导体材料性能分析技术领域，包括：设定参数和建立模型；模拟SiC在不同温度下的晶格畸变，并计算内聚能评估稳定性；分析晶格畸变对SiC态密度和电荷密度的影响；模拟SiC中...
该专利属于交通运输部天津水运工程科学研究所所有，仅供学习研究参考，未经过交通运输部天津水运工程科学研究所授权不得商用。

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