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本发明公开了一种针对InAs纳米线混合晶相界面位置的检测装置及方法，该方法通过位置敏感探测器与金属‑绝缘体‑半导体(MIS)结构中的隧穿效应来实现。其中位置敏感探测器是由正负电极与InAs纳米线的组合，通过欧姆定律，将InAs纳米线的晶相变...
该专利属于南通大学所有，仅供学习研究参考，未经过南通大学授权不得商用。

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