一种针对InAs纳米线混合晶相界面位置的检测装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种针对InAs纳米线混合晶相界面位置的检测装置及方法，该方法通过位置敏感探测器与金属‑绝缘体‑半导体(MIS)结构中的隧穿效应来实现。其中位置敏感探测器是由正负电极与InAs纳米线的组合，通过欧姆定律，将InAs纳米线的晶相变化转变为电学参数变化。与此同时利用金属‑绝缘体‑半导体(MIS)结构中的隧穿效应，其中金属电极层以一种特殊的前后差位递进式结构排列，搭配上纳米定位台，放大了电学参数变化灵敏度并使检测位置更精确。本发明专利技术提出的器件结构在于提高InAs纳米线晶相界面位置的检测精度和灵敏度，从而获得更加可靠的检测结果，此外该结构解决了样品不能重复检测的弊病，大大降低了检测成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于量子力学和纳米，尤其涉及一种针对inas纳米线混合晶相界面位置的检测装置及方法。

技术介绍

1、inas纳米线是由砷化铟(inas)材料制成的一维纳米结构，因其高电子迁移率、窄带隙(约0.35ev)和显著的量子效应而在电子和光电子器件中具有广泛应用前景。其独特特性使得inas纳米线在高频电子器件、红外探测器、光电转换器件以及量子计算元件中表现出色。inas纳米线的制备方法包括化学气相沉积(cvd)、分子束外延(mbe)和模板法，这些方法能够有效控制纳米线的尺寸和形貌。作为纳米科技和半导体研究的重要材料，inas纳米线在电子、光电子和量子技术等领域有望实现更多突破和创新。inas纳米线的晶相主要有闪锌矿(zinc blende，zb)和纤锌矿(wurtzite，wz)两种结构，具体分布和比例取决于生长条件和方法。zb结构属于立方晶系，具有高对称性和较少缺陷，通常表现出优良的电子迁移率和光学特性，因此在高性能电子和光电子器件中应用广泛。而wz结构属于六方晶系，具有更强的量子限域效应和独特的光学特性，适用于特定的光电子和量子器件。通过调节生长条件，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种针对InAs纳米线混合晶相界面位置的检测装置，其特征在于，从上至下依次包括InAs纳米线(1)、氮化硼(2)和金属电极；

2.根据权利要求1所述的一种针对InAs纳米线混合晶相界面位置的检测装置，其特征在于，所述氮化硼(2)采用脉冲激光沉积技术PLD制备，通过该方法制得相同尺寸的两片少层六方氮化硼薄膜；所述两片少层六方氮化硼薄膜为第一氮化硼薄膜(2-1)和第二氮化硼薄膜(2-2)，在第一氮化硼薄膜(2-1)上制作粗金属电极(3)，在第二氮化硼薄膜(2-2)上制作细金属电极(4)；第一氮化硼薄膜(2-1)未与粗金属电极(3)接触的一面朝上，将待测样品InAs纳米线转移到...

【技术特征摘要】

1.一种针对inas纳米线混合晶相界面位置的检测装置，其特征在于，从上至下依次包括inas纳米线(1)、氮化硼(2)和金属电极；

2.根据权利要求1所述的一种针对inas纳米线混合晶相界面位置的检测装置，其特征在于，所述氮化硼(2)采用脉冲激光沉积技术pld制备，通过该方法制得相同尺寸的两片少层六方氮化硼薄膜；所述两片少层六方氮化硼薄膜为第一氮化硼薄膜(2-1)和第二氮化硼薄膜(2-2)，在第一氮化硼薄膜(2-1)上制作粗金属电极(3)，在第二氮化硼薄膜(2-2)上制作细金属电极(4)；第一氮化硼薄膜(2-1)未与粗金属电极(3)接触的一面朝上，将待测样品inas纳米线转移到第一氮化硼薄膜(2-1)上。

3.根据权利要求2所述的一种针对inas纳米线混合晶相界面位置的检测装置，其特征在于，所述焊盘pad(7)处即为检测位置点，将检测点从最右侧电极的焊盘pad(7)上，依次划过每一个焊盘pad(7)，当检测到电流突变时，将样品inas纳米线(1)转移到第二氮化硼薄膜(2-2)上且确保细金属电极(4)所处区域覆盖电流突变位置。

4.根据权利要求1所述的一种针对inas纳米线混合晶相界面位置的检测装置，其特征在于，所述粗金属电极(4)采用传统光刻技术制备，最小线宽在1微米以上，数量在10...

【专利技术属性】
技术研发人员：李哲宇，徐炜炜，张家瑞，李奕琨，马青兰，余晨辉，
申请(专利权)人：南通大学，
类型：发明
国别省市：