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本发明属于钠离子固体电解质制造领域，具体涉及一种铽掺杂NASICON型钠离子导体材料及其制备方法。该铽掺杂NASICON型钠离子导体材料的化学计量式为Na<subgt;3+x</subgt;Zr<subgt;2‑x<...
该专利属于沈阳工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过沈阳工业大学授权不得商用。

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