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本申请涉及半导体技术领域，提供了一种无定形碳层刻蚀方法及半导体结构。该无定形碳层刻蚀方法包括：通入刻蚀气体，对无定形碳层进行初始刻蚀，以于无定形碳层的一侧形成沟槽；通入保护气体，以于沟槽的内壁形成初始保护层；再次通入刻蚀气体，基于沟槽进行中...
该专利属于上海邦芯半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海邦芯半导体科技有限公司授权不得商用。

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