无定形碳层刻蚀方法及半导体结构技术

本申请涉及半导体技术领域，提供了一种无定形碳层刻蚀方法及半导体结构。该无定形碳层刻蚀方法包括：通入刻蚀气体，对无定形碳层进行初始刻蚀，以于无定形碳层的一侧形成沟槽；通入保护气体，以于沟槽的内壁形成初始保护层；再次通入刻蚀气体，基于沟槽进行中间刻蚀；再次通入保护气体，于经过中间刻蚀的沟槽内壁形成中间保护层；循环重复中间刻蚀步骤和中间保护步骤多次，直至刻蚀至目标深度；其中，自第三次循环开始，中间刻蚀步骤的工艺时间和中间保护步骤的工艺时间随着循环周期次数的增加而增加。该无定形碳层刻蚀方法能够在刻蚀过程中保持良好的侧壁形貌，有效提升无定形碳层的刻蚀效果，进而提升半导体器件的电学性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其涉及一种无定形碳层刻蚀方法及半导体结构。

技术介绍

1、在半导体制造过程中，无定形碳层广泛用于掩膜材料、硬掩模层等。然而，由于无定形碳层的材料特性，在刻蚀过程中容易出现一些问题，尤其是在刻蚀较深的沟槽时，常常会遇到倒梯形剖面和侧壁损伤的问题。这种现象不仅影响到刻蚀形貌，还会对后续工艺步骤造成电性缺陷，例如增加沟槽侧壁的电阻或者引入杂质，进而影响半导体器件的电学性能。

2、因此，亟需一种能够在刻蚀过程中有效保护侧壁并维持刻蚀速率的改进方法，从而提高无定形碳层的刻蚀效果，消除电性缺陷。

3、需要说明的是，上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、基于此，本申请实施例提供了一种无定形碳层刻蚀方法及半导体结构，能够在刻蚀过程中保持良好的侧壁形貌，消除刻蚀过程导致的电性缺陷，有效提升无定形碳层的刻蚀效果，进而提升半导体器件的电学性能。

2、根据一些实施例，本申请一方面本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种无定形碳层刻蚀方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的无定形碳层刻蚀方法，其特征在于，所述保护气体至少包括碳氟气体。

3.根据权利要求2所述的无定形碳层刻蚀方法，其特征在于，所述保护气体还包括碳氢气体。

4.根据权利要求2所述的无定形碳层刻蚀方法，其特征在于，所述碳氟气体中，碳原子与氟原子的原子数比例大于或等于0.6:1。

5.根据权利要求1所述的无定形碳层刻蚀方法，其特征在于，循环重复所述中间刻蚀步骤和所述中间保护步骤多次的过程中，第一次执行所述中间刻蚀步骤和所述中间保护步骤的所述工艺时间，与第二次执行所述中间刻蚀步骤和...

【技术特征摘要】

1.一种无定形碳层刻蚀方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的无定形碳层刻蚀方法，其特征在于，所述保护气体至少包括碳氟气体。

3.根据权利要求2所述的无定形碳层刻蚀方法，其特征在于，所述保护气体还包括碳氢气体。

4.根据权利要求2所述的无定形碳层刻蚀方法，其特征在于，所述碳氟气体中，碳原子与氟原子的原子数比例大于或等于0.6:1。

5.根据权利要求1所述的无定形碳层刻蚀方法，其特征在于，循环重复所述中间刻蚀步骤和所述中间保护步骤多次的过程中，第一次执行所述中间刻蚀步骤和所述中间保护步骤的所述工艺时间，与第二次执行所述中间刻蚀步骤和所述中间保护步骤的所述工艺时间相同。

6.根据权利要求1所述的无定形碳层刻蚀方法，其特征在于，自第三次执行所述中间刻蚀步骤和所述中...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟炜祁，王兆祥，赵兵，裴凯，曾子菱，叶武锦，刘少康，
申请(专利权)人：上海邦芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：