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本公开涉及监测电路及对应方法。用于监测MOSFET的实际阈值电压值的电路包括：耦合到MOSFET的源极端子且生成测试电流的电流源；耦合在MOSFET的栅极端子与该源极端子之间且生成低于MOSFET标称阈值电压值的测试电压的电压发生器；检测单...
该专利属于意法半导体国际公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体国际公司授权不得商用。

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