监测电路及对应方法技术

技术编号:43922683 阅读:25 留言:0更新日期:2025-01-03 13:26
本公开涉及监测电路及对应方法。用于监测MOSFET的实际阈值电压值的电路包括:耦合到MOSFET的源极端子且生成测试电流的电流源;耦合在MOSFET的栅极端子与该源极端子之间且生成低于MOSFET标称阈值电压值的测试电压的电压发生器;检测单元,在时间期间对源极端子处电压值采样,以依据其计算源极端子处电压值随时间变化的值,并将该值提供给警报生成单元;警报生成单元接收后,将其与参考电压比较,如果比较的输出不对应于预定输出条件,发出警报;接收测试模式信号的控制单元。控制单元根据该信号选择电流源与源极端子的耦合或去耦状态,确定参考电压的值,设置比较的输出条件,并发信号通知检测单元执行采样操作。

【技术实现步骤摘要】

本说明书涉及监测电路。


技术介绍

1、电子组件的健康监测是对这样的组件的潜在故障的预测,并且包括测量与这样的组件的物理退化相关的电气参数的偏差。

2、健康监测非常重要,因为电子组件在大多数系统中广泛使用,并且其故障可能导致这样的系统的故障和/或停机,因此防止这样的故障可以提高系统的稳健性和可靠性。

3、具体地,健康监测在汽车领域具有相关性,在汽车领域,预防危险可以提高乘客安全。

4、事实上,iso26262是安装在批量生产道路车辆中的电气和/或电子系统功能安全的实际国际标准,它定义了使用汽车安全完整性等级(asil)测量的最低安全要求,asil是通过危险分析和风险评估确定的安全等级。

5、因此,车辆电气组件的故障预测和健康监测可以提高车辆的asil安全级别,从而允许对被视为有风险的电子组件进行先发制人的维护或更换。

6、为了满足iso26262的要求,安全关键环境(诸如汽车配电环境)可以使用具有高asil安全级别的e-fuse(“电子保险丝”)。这样的e-fuse是用于在故障条件下将电路电流和/或本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于监测金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的阈值电压值的电路,所述电路包括:

2.根据权利要求1所述的电路,其中

3.根据权利要求2所述的电路,其中

4.根据权利要求3所述的电路,其中

5.根据权利要求1所述的电路,其中所述MOSFET是功率MOSFET。

6.根据权利要求1所述的电路,其中

7.根据权利要求6所述的电路,其中所述检测电路系统包括:

8.根据权利要求1所述的电路,其中所述警报生成电路系统包括:

9.根据权利要求1所述的电路,还包括:

>10.根据权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种用于监测金属氧化物半导体场效应晶体管mosfet的阈值电压值的电路,所述电路包括:

2.根据权利要求1所述的电路,其中

3.根据权利要求2所述的电路,其中

4.根据权利要求3所述的电路,其中

5.根据权利要求1所述的电路,其中所述mosfet是功率mosfet。

6.根据权利要求1所述的电路,其中

7.根据权利要求6所述的电路,其中所述检测电路系统包括:

8.根据权利要求1所述的电路,其中所述警报生成电路系统包括:

9.根据权利要求1所述的电路,还包括:

10.根据权利要求1所述的电路,还包括:

11.根据权利要求1所述的电路,其中

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【专利技术属性】
技术研发人员:R·莱托V·彭托列里
申请(专利权)人:意法半导体国际公司
类型:发明
国别省市:

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