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本申请提供了一种基于关断过程栅极电压的IGBT缺陷定位方法及系统，该方法包括：获取目标IGBT的芯片总数和检测数据，所述检测数据包括：在所述关断过程的栅极电压下降阶段的正常栅极电压、实际栅极电压、第一正常时长、第一实际时长、在所述关断过程的...
该专利属于华北电力科学研究院有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过华北电力科学研究院有限责任公司授权不得商用。

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