基于关断过程栅极电压的IGBT缺陷定位方法及系统技术方案

本申请提供了一种基于关断过程栅极电压的IGBT缺陷定位方法及系统，该方法包括：获取目标IGBT的芯片总数和检测数据，所述检测数据包括：在所述关断过程的栅极电压下降阶段的正常栅极电压、实际栅极电压、第一正常时长、第一实际时长、在所述关断过程的米勒平台阶段的第二正常时长和第二实际时长；根据所述目标IGBT的芯片总数和检测数据，完成所述目标IGBT的内部缺陷定位。本申请能够实现IGBT内部缺陷的定位，便于接下来对IGBT的维护。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及igbt缺陷检测，尤其涉及一种基于关断过程栅极电压的igbt缺陷定位方法及系统。

技术介绍

1、绝缘栅双极型晶体管（insulated gate bipolar transistor，igbt）是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。随着电子技术的发展，绝缘栅双极型晶体管的应用场合越来越广泛，如，在新能源换流器、柔性直流输电设备和动态无功补偿设备等场合得到了广泛的应用。因此，对igbt进行缺陷检测非常具有意义。

2、目前，主要是对igbt内部是否发生了缺陷进行检测，检测方法单一，不能定位igbt的内部缺陷，比如，通过栅极放电电荷量分析缺陷情况，可以部分反映igbt内部是否发生了缺陷，但是无法确定igbt的内部缺陷。

技术实现思路

1、针对现有技术中的至少一个问题，本申请提出了一种基于关断过程栅极电压的igbt缺陷定位方法及系统，能够实现igbt内部缺陷的定位，便于接下来对igbt的维护。

2、为了解决上述技术问题，本申请提供以下技术方案：<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于关断过程栅极电压的IGBT缺陷定位方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基于关断过程栅极电压的IGBT缺陷定位方法，其特征在于，所述根据所述正常栅极电压、实际栅极电压、芯片总数和预获取的栅极阈值电压，确定所述目标IGBT发生第一栅射极回路缺陷的芯片数量，包括：

3.根据权利要求1所述的基于关断过程栅极电压的IGBT缺陷定位方法，其特征在于，所述根据所述第一正常时长、第一实际时长和芯片总数，确定所述目标IGBT发生第二栅射极回路缺陷的芯片数量，包括：

4.根据权利要求1所述的基于关断过程栅极电压的IGBT缺陷定位方法，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种基于关断过程栅极电压的igbt缺陷定位方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基于关断过程栅极电压的igbt缺陷定位方法，其特征在于，所述根据所述正常栅极电压、实际栅极电压、芯片总数和预获取的栅极阈值电压，确定所述目标igbt发生第一栅射极回路缺陷的芯片数量，包括：

3.根据权利要求1所述的基于关断过程栅极电压的igbt缺陷定位方法，其特征在于，所述根据所述第一正常时长、第一实际时长和芯片总数，确定所述目标igbt发生第二栅射极回路缺陷的芯片数量，包括：

4.根据权利要求1所述的基于关断过程栅极电压的igbt缺陷定位方法，其特征在于，所述根据所述第二正常时长和第二实际时长和芯片总数，确定所述目标igbt发生集栅极回路缺陷的芯片数量，包括：

5.一种基于关断过程栅极电压的igbt缺陷定位系统...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁文迁，季一润，袁茜，槐青，杨敏祥，高岩峰，郝震，卢毅，宋鹏，李雨，黄彬，刘蓁，谢丽芳，
申请(专利权)人：华北电力科学研究院有限责任公司，
类型：发明
国别省市：