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本技术提供了一种抑制漏极电压过冲的碳化硅VDMOS，包括：漂移层的下侧面连接至碳化硅衬底的上侧面；漏电抑制区下侧面连接至漂移层上侧面；导电区，导电区穿过漏电抑制区，且导电区下侧面连接至漂移层上侧面；栅介质层，栅介质层下侧面连接至漏电抑制区上...
该专利属于泰科天润半导体科技（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过泰科天润半导体科技（北京）有限公司授权不得商用。

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