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本发明涉及光电技术领域，公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED芯片，发光二极管外延片包括衬底，衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、组合层、P型GaN层；组合层包括依次层叠的电子消耗层和波段层，电子消耗层包括交替层叠的...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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