发光二极管外延片及其制备方法、LED芯片技术

本发明专利技术涉及光电技术领域，公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED芯片，发光二极管外延片包括衬底，衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、组合层、P型GaN层；组合层包括依次层叠的电子消耗层和波段层，电子消耗层包括交替层叠的Mg掺杂AlGaN层和BN层，波段层包括依次层叠的中波层、短波层和长波层，中波层包括交替层叠的Ga面极化GaN量子垒层和第一InGaN量子阱层，短波层包括交替层叠的N面极化GaN量子垒层和第二InGaN量子阱层，长波层包括交替层叠的Ga面极化AlGaN量子垒层和第三InGaN量子阱层。本发明专利技术提供的发光二极管外延片能够减少电子溢流和弱化多量子阱层中的QCSE。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、led芯片。

技术介绍

1、gan基材料具有固有的极化效应，产生的量子限制斯塔克效应（quantum-confinedstark effect, qcse）会导致多量子阱层中能带弯曲，减少了波函数的重合，从而减少了空穴与电子的有效复合效率。而且，由于电子比空穴迁移速度更快，数量更多，未发生复合的电子，会产生电子溢流，减少了抗静电能力，进一步降低了发光效率。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管外延片，其减少电子溢流，弱化了多量子阱层中的量子限制斯塔克效应。

2、本专利技术所要解决的技术问题还在于，提供一种发光二极管外延片的制备方法，其工艺简单，能够稳定制得发光性能良好的发光二极管外延片。

3、为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种发光二极管外延片，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂gan层、n型gan层、组合层、p型gan层；

4、所述组合层包括依次层叠的电子消耗层和本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、组合层、P型GaN层；

2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述电子消耗层包括3~6个周期的交替层叠的Mg掺杂AlGaN层和BN层；

3.如权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述Mg掺杂AlGaN层的Mg掺杂浓度和Al组分含量均沿外延生长方向递增。

4.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述中波层包括2~11个周期的交替层叠的Ga面极化GaN量子垒层和第一InGaN量子阱层；

5.如权利要求1所述...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂gan层、n型gan层、组合层、p型gan层；

2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述电子消耗层包括3~6个周期的交替层叠的mg掺杂algan层和bn层；

3.如权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述mg掺杂algan层的mg掺杂浓度和al组分含量均沿外延生长方向递增。

4.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述中波层包括2~11个周期的交替层叠的ga面极化gan量子垒层和第一ingan量子阱层；

5.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述短波层包括2~11个周期的交替层叠的n面极化gan量子垒层和第二i...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡加辉，郑文杰，高虹，刘春杨，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：