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本发明涉及一种集成纵向器件的SOI半导体结构及其制造方法，所述方法包括：获取晶圆，晶圆包括衬底、衬底上的掩埋介质区及掩埋介质区上的顶部半导体层；图案化晶圆，将纵向器件区的衬底露出；在纵向器件区的侧面形成第一绝缘隔离部；在纵向器件区外延形成第...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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