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一种基于碳化硅自旋缺陷的电流测量装置及电流测量方法制造方法及图纸
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下载一种基于碳化硅自旋缺陷的电流测量装置及电流测量方法的技术资料
文档序号:43889383
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本发明公开了一种基于碳化硅自旋缺陷的电流测量装置及电流测量方法。本发明的装置结构简单,成本相对较低,非常易于推广使用。本发明采用双传感器结构进行差分检测,有效避免了环境磁场噪声的影响,在很大程度上提高了测量灵敏度。本发明装置的检测灵敏度只依...
该专利属于浙江大学杭州国际科创中心所有,仅供学习研究参考,未经过浙江大学杭州国际科创中心授权不得商用。
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