一种基于碳化硅自旋缺陷的电流测量装置及电流测量方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种基于碳化硅自旋缺陷的电流测量装置及电流测量方法。本发明专利技术的装置结构简单，成本相对较低，非常易于推广使用。本发明专利技术采用双传感器结构进行差分检测，有效避免了环境磁场噪声的影响，在很大程度上提高了测量灵敏度。本发明专利技术装置的检测灵敏度只依赖于碳化硅自旋缺陷的浓度、激发光的密度以及荧光收集效率，并且可以通过优化碳化硅自旋缺陷的浓度及自旋性质，进一步提高磁场/电流测量的灵敏度，拓宽了提高检测精度的空间。本发明专利技术将碳化硅与光纤集成于一体，不依赖共聚焦光路系统，使用的光纤只用于激发光和荧光的传输，其形状和长度对测试结果基本无影响，使用非常便利。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术电流传感器，具体涉及一种基于碳化硅自旋缺陷的电流测量装置及电流测量方法。

技术介绍

1、非接触式电流传感器以其安全性高、适用范围广、易于安装和维护、抗干扰能力强等优点，在各种复杂环境下表现出色，目前应用广泛。非接触式的电流测量是通过利用电流的磁效应将电流测量转换为磁场测量，磁场测量的精度也就决定了电流测量的精度。

2、目前，基于磁效应的电流传感器有：电流互感器、霍尔电流传感器、磁通门电流传感器、巨磁阻电流传感器、光纤电流传感器等。

3、其中，电流互感器（比如公开号为cn118824712a的专利技术申请）是基于电磁感应原理，通过闭合铁心和绕组将大电流转换为小电流；霍尔电流传感器（比如公开号为cn118884013a的专利技术申请）分为开环式和闭环式，开环式采用霍尔直放式原理，闭环式采用磁平衡原理；磁通门电流传感器（比如公开号为cn118884027a的专利技术申请）是通过利用高导磁率磁芯在交变磁场中的饱和激励现象，测量弱磁场，从而间接测量电流；巨磁阻电流传感器（比如公开号为cn103616550a的专利技术申请）是基于巨磁本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于碳化硅自旋缺陷的电流测量装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述基于碳化硅自旋缺陷的电流测量装置，其特征在于，所述光纤在设有所述传感器的一端去掉绝缘表皮形成纤芯裸露的光纤尖端，所述传感器设于光纤尖端的端面上；

3.根据权利要求1所述基于碳化硅自旋缺陷的电流测量装置，其特征在于，所述激光单元包括分束镜和两个二向色镜，所述激光器为一个，所述激光器发出的激发光经所述分束镜分为两束并分别经二向色镜后进入到所述光纤。

4.根据权利要求3所述基于碳化硅自旋缺陷的电流测量装置，其特征在于，所述光电探测器位于所述二向色镜远离所述碳化硅光纤传感器探头...

【技术特征摘要】

1.一种基于碳化硅自旋缺陷的电流测量装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述基于碳化硅自旋缺陷的电流测量装置，其特征在于，所述光纤在设有所述传感器的一端去掉绝缘表皮形成纤芯裸露的光纤尖端，所述传感器设于光纤尖端的端面上；

3.根据权利要求1所述基于碳化硅自旋缺陷的电流测量装置，其特征在于，所述激光单元包括分束镜和两个二向色镜，所述激光器为一个，所述激光器发出的激发光经所述分束镜分为两束并分别经二向色镜后进入到所述光纤。

4.根据权利要求3所述基于碳化硅自旋缺陷的电流测量装置，其特征在于，所述光电探测器位于所述二向色镜远离所述碳化硅光纤传感器探头的一侧，

5.根据权利要求1所述基于碳化硅自旋缺陷的电流测量装置，其特征在于，所述光纤在远离所述传感器的一端设有光纤耦合器。

6.根据权利要求1所述基于碳化硅自...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶蕾，李强，皮孝东，杨德仁，
申请(专利权)人：浙江大学杭州国际科创中心，
类型：发明
国别省市：