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本发明提供了一种多孔硅的制备方法，属于多孔硅制备技术领域。本发明采用石墨作为刻蚀催化剂，石墨的电负性为2.55，大于硅的电负性1.90，同时具有较高的化学稳定性，高电负性使石墨从Si中夺取电子，空穴则注入Si，Si被氧化，化学稳定性（化学惰...
该专利属于内蒙古工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过内蒙古工业大学授权不得商用。

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