【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于多孔硅制备，具体涉及一种多孔硅的制备方法。
技术介绍
1、多孔硅具有较大的比表面积和较高的理论比容量（4200mah/g），从而使得其在催化、传感器、光电子、生物成像和能源电池等领域具有广泛应用。
2、目前多孔硅的制备方法主要为金属辅助化学腐蚀，使用贵金属作为催化剂进行辅助刻蚀，从而制备得到多孔硅。但是贵金属成本较高，从而限制了其应用。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种多孔硅的制备方法。本专利技术采用石墨作为催化剂，无需采用贵金属、成本低。
2、为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供以下技术方案：
3、本专利技术提供了一种多孔硅的制备方法，包括以下步骤：
4、将硅、石墨、溶剂与刻蚀液混合进行刻蚀，得到多孔硅，所述刻蚀液包括氟化氢、过氧化氢和水；
5、所述刻蚀液中氟化氢的物质的量与氟化氢和过氧化氢的总物质的量之比为0.75~0.9；
6、所述硅、石墨、溶剂与刻蚀液的混合方式为：将硅和部分溶剂...
【技术保护点】
1.一种多孔硅的制备方法，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅的平均粒径为5~45μm。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述石墨的平均粒径为1~8μm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅和石墨的质量比为1：（0.1~1）。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅的质量与溶剂的体积比为1g：（10~30）mL。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述硅的质量与刻蚀液的体积比为1g：（1~10）mL。
7.根...
【技术特征摘要】
1.一种多孔硅的制备方法，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅的平均粒径为5~45μm。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述石墨的平均粒径为1~8μm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅和石墨的质量比为1：（0.1~1）。
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