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本申请公开了一种基于铁电场效应晶体管的存储装置及其制作方法，该存储装置包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底一侧的底部选通晶体管；位于所述底部选通晶体管远离所述半导体衬底一侧的控制栅堆叠结构，所述控制栅堆叠结构包括：多层交错排布的栅极隔离层和...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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