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本发明公开一种TiN薄膜及肖特基栅极金属的制备方法，涉及半导体器件技术领域，以解决现有技术中以Ni作为毫米波器件的栅极接触金属时稳定性差的问题。方法包括：提供衬底；在衬底上形成第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行预处理，得到位于衬底上的目标区域...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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