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本发明公开了一种3300V SiC DMOSFET低导通电阻器件优化方法，属于低导通电阻器件优化技术领域，该3300V SiC DMOSFET低导通电阻器件优化方法包括外部参数选取、元胞尺寸设计、JFET区全局掺杂以及工艺设计，所述外部参数...
该专利属于浙江摩珂达半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江摩珂达半导体有限公司授权不得商用。

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