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半导体激光器(100)具备：形成于n型半导体基板(1)的脊(5)、和以覆盖与脊的延伸方向亦即y方向垂直的x方向的两侧的方式埋入的埋入层(25)。在脊突出的方向亦即z方向的正侧以及埋入层的z方向的正侧具备：p型第二包覆层(9)、p型接触层(1...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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