半导体激光器、半导体激光器装置以及半导体激光器的制造方法制造方法及图纸

半导体激光器(100)具备：形成于n型半导体基板(1)的脊(5)、和以覆盖与脊的延伸方向亦即y方向垂直的x方向的两侧的方式埋入的埋入层(25)。在脊突出的方向亦即z方向的正侧以及埋入层的z方向的正侧具备：p型第二包覆层(9)、p型接触层(10)、与p型接触层连接的表面侧电极(12)、以及形成于沿x方向从脊离开的外缘的半绝缘性层(11)，在该半导体激光器(100)的x方向的端部(29a、29b)侧的z方向的正侧，形成有半绝缘性层或者表面侧电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本申请涉及半导体激光器、半导体激光器装置以及半导体激光器的制造方法。

技术介绍

1、半导体激光器作为光通信用的光源被广泛利用，对小型、高速动作、有效率、低耗电的要求较高。在专利文献1中公开了具有埋入式异质结构的半导体激光器。专利文献1的半导体激光器具备：n型半导体基板、包括n型包覆层、活性层、p型包覆层的脊、将脊埋入的埋入区域、形成于埋入区域的一对沟槽、层叠于脊以及埋入区域的p型包覆层、接触层、与接触层连接的阳极电极、形成于n型半导体基板的背面的阴极电极、覆盖脊的正上方区域以外的接触层以及沟槽的绝缘膜。氧化硅(sio2)等绝缘膜能够从阳极电极向活性层有效地注入电流。

2、此外，在实现提高半导体激光器的特性方面重要的是减少注入电流路径的电阻。注入电流路径的电阻适当地表现为注入电阻。特别是高输出用途的半导体激光器的动作电流也大，由注入电阻引起的发热较大，特性降低显著，因此使动作时产生的热有效地散热非常重要。

3、为了使半导体激光器动作时产生的热有效地散热，存在执行以半导体激光器的pn结与散热器对置的方式安装的所谓下结合安装的情况。在专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体激光器，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，

8.根据权利要求2～6中的任一项所述的半导体激光器，其特征在于，

9.一种半导体激光器装置，其特征在于，

10.一种半导体激光器的制造方法...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体激光器，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，

8.根据权利要求2～6中的任一项所述的半导体激光器，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：前原宏昭，平聪，渊田步，铃木凉子，宫越亮辅，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：

全部详细技术资料下载 我是这个专利的主人