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本公开涉及一种相变存储器及存储器系统,其中,相变存储器包括:存储阵列和外围电路;其中,外围电路,耦接存储阵列,被配置为对存储阵列中的目标存储单元进行初次读取操作,获取第一读取结果;以及,在第一读取结果的误码率大于等于第一预设值的情况下,对目...该专利属于新存科技(武汉)有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过新存科技(武汉)有限责任公司授权不得商用。
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本公开涉及一种相变存储器及存储器系统,其中,相变存储器包括:存储阵列和外围电路;其中,外围电路,耦接存储阵列,被配置为对存储阵列中的目标存储单元进行初次读取操作,获取第一读取结果;以及,在第一读取结果的误码率大于等于第一预设值的情况下,对目...