一种相变存储器及存储器系统技术方案

本公开涉及一种相变存储器及存储器系统，其中，相变存储器包括：存储阵列和外围电路；其中，外围电路，耦接存储阵列，被配置为对存储阵列中的目标存储单元进行初次读取操作，获取第一读取结果；以及，在第一读取结果的误码率大于等于第一预设值的情况下，对目标存储单元进行二次读取操作，获取第二读取结果；其中，二次读取操作的读取电压大于初次读取操作的读取电压。这样，在相变存储器的读干扰为电压漂移的情况下，相变存储器可以利用增大读取电压的方式来确保读出结果的准确性，不需要对出现错误的存储单元进行写入刷新操作，从而，能够减少相变存储器的写入刷新次数，提高相变存储器的寿命。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及集成电路领域，尤其涉及一种相变存储器及存储器系统。

技术介绍

1、相变存储器(phase change memory，pcm)中的存储单元(cell)通过相变材料(如，gesbte等)在晶态与非晶态之间的可逆转变来实现信息的读写和擦除操作。相变存储器具有高集成密度、低功耗、读写次数高和抗干扰性强等特点。

2、相变存储器工作过程中，存储单元中的相变材料会在晶态和非晶态之间转换。相变材料多次转换后会产生读干扰(read disturb，rd)，会对数据读取过程产生影响，造成读出数据错误。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开实施例提供了一种相变存储器及存储器系统，以提高数据读取的效率。

2、本专利技术的技术方案是这样实现的：

3、本公开实施例提供了一种相变存储器，包括：存储阵列和外围电路；其中，所述外围电路，耦接所述存储阵列，被配置为对所述存储阵列中的目标存储单元进行初次读取操作，获取第一读取结果；以及，在所述第一读取结果的误码率大于等于第一预设值的情况下，对所述目标存本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种相变存储器，其特征在于，包括：存储阵列和外围电路；其中，

2.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的相变存储器，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的相变存储器，其特征在于，所述第二预设值小于或等于所述第一预设值。

5.根据权利要求3所述的相变存储器，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的相变存储器，其特征在于，所述外围电路，还被配置为比对所述第二读取结果和期望数据，并基于比对结果确认所述待刷新存储单元；其中，所述期望数据为写入至所述目标存储单元的数据。

7.根据权利要求5所述...

【技术特征摘要】

1.一种相变存储器，其特征在于，包括：存储阵列和外围电路；其中，

2.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的相变存储器，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的相变存储器，其特征在于，所述第二预设值小于或等于所述第一预设值。

5.根据权利要求3所述的相变存储器，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的相变存储器，其特征在于，所述外围电路，还被配置为比对所述第二读取结果和期望数据，并基于比对结果确认所述待刷新存储单元；其中，所述期望...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文广，周光乐，
申请(专利权)人：新存科技武汉有限责任公司，
类型：发明
国别省市：