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一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:在衬底上形成初始栅极结构和层间介质层,层间介质层还位于初始栅极结构侧壁;在层间介质层和初始栅极结构内形成栅隔离结构,栅隔离结构沿平行于衬底表面的第二方向贯穿初始栅极结构,形成分立的栅极结构,第一方向...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:在衬底上形成初始栅极结构和层间介质层,层间介质层还位于初始栅极结构侧壁;在层间介质层和初始栅极结构内形成栅隔离结构,栅隔离结构沿平行于衬底表面的第二方向贯穿初始栅极结构,形成分立的栅极结构,第一方向...